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FDS86267P 技术参数详情：
- 制造商产品型号: FDS86267P
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 功能总体简述: MOSFET P-CH 150V
- 系列: PowerTrench
- FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 150V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 2.2A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 255 毫欧 @ 2.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 16nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1130pF @ 75V
- 功率 - 最大值: 1W
- 安装类型: *
- 产品封装: *
- 供应商器件封装: *
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