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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，I-Pak
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
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FDU6512A 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FDU6512A
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 10.7A I-PAK
- 系列：PowerTrench
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：10.7A（Ta），36A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 10.7A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：19nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1082pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1.6W
- 安装类型：通孔
- 产品封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
- 供应商器件封装：I-Pak
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