FDV303N 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDV303N
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23
- 系列:-
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):680mA(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):450 毫欧 @ 500mA,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.3nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):50pF @ 10V
- 功率 - 最大值:350mW
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23
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