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- 制造厂商:仙童
- 类别封装:场效应管阵列,8-TSSOP
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO
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FDW2502P 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FDW2502P
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:MOSFET 2P-CH 20V 4.4A 8-TSSO
- 系列:PowerTrench
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.4A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):35 毫欧 @ 4.4A,4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):21nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1465pF @ 10V
- 功率 - 最大值:600mW
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
- 供应商器件封装:8-TSSOP
- FDW2502P优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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