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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单路IGBT，TO-252
- 技术参数：IGBT 600V 6A 60W DPAK
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FGD3N60UNDF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FGD3N60UNDF
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：IGBT 600V 6A 60W DPAK
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：600V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：6A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：9A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.52V @ 15V，3A
- 功率 - 最大值：60W
- Switching Energy：52μJ （开）， 30μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：1.6nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：5.5ns/22ns
- Test Condition：400V， 3A， 10 欧姆， 15V
- 反向恢复时间 (trr)：21ns
- 产品封装：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 安装类型：表面贴装
- 供应商器件封装：TO-252
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