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Fairchild
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FQD30N06TM 图片
  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:FET - 单,TO-252-3,DPak
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
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FQD30N06TM 技术参数详情:
  • 制造商产品型号: FQD30N06TM
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
  • 系列: QFET
  • FET 类型: MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压(Vdss): 60V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时): 22.7A(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值): 45 毫欧 @ 11.4A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg): 25nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss): 945pF @ 25V
  • 功率 - 最大值: 2.5W
  • 安装类型: 表面贴装
  • 产品封装: TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装: TO-252,(D-Pak)
  • FQD30N06TM优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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