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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：FET - 单，TO-252-3，DPak
- 技术参数：MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
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FQD30N06TM 技术参数详情：
- 制造商产品型号: FQD30N06TM
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 60V 22.7A DPAK-3
- 系列: QFET
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 60V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 22.7A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 45 毫欧 @ 11.4A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 25nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 945pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 2.5W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
- 供应商器件封装: TO-252，（D-Pak）
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