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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单端场效应管，I2PAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
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FQI7N10LTU 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FQI7N10LTU
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
- 系列：QFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.3A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：350 毫欧 @ 3.65A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6nC @ 5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：290pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.75W
- 安装类型：通孔
- 产品封装：TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
- 供应商器件封装：I2PAK
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