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Fairchild
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FQU3P50TU 图片
  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:单端场效应管,I-Pak
  • 技术参数:MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
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FQU3P50TU 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:FQU3P50TU
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET P-CH 500V 2.1A IPAK
  • 系列:QFET
  • FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 功能:标准
  • 漏源极电压 (Vdss):500V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.1A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.9 欧姆 @ 1.05A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):23nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):660pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:2.5W
  • 安装类型:通孔
  • 产品封装:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
  • 供应商器件封装:I-Pak
  • FQU3P50TU优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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