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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：单路IGBT，TO-220AB
- 技术参数：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
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HGTP10N120BN 技术参数详情：
- 制造商产品型号：HGTP10N120BN
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：IGBT 1200V 35A 298W TO220AB
- 系列：-
- IGBT 类型：NPT
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35A
- Current - Collector Pulsed (Icm)：80A
- 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.7V @ 15V，10A
- 功率 - 最大值：298W
- Switching Energy：320μJ （开）， 800μJ （关）
- 输入类型：标准
- Gate Charge：100nC
- 25°C 时 Td（开/关）值：23ns/165ns
- Test Condition：960V, 10A, 10 欧姆, 15V
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 产品封装：TO-220-3
- 安装类型：通孔
- 供应商器件封装：TO-220AB
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