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  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:单路IGBT,TO-220AB
  • 技术参数:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
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HGTP2N120CN 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:HGTP2N120CN
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:IGBT 1200V 13A 104W TO220AB
  • 系列:-
  • IGBT 类型:NPT
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):13A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):20A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.4V @ 15V,2.6A
  • 功率 - 最大值:104W
  • Switching Energy:96μJ (开), 355μJ (关)
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:30nC
  • 25°C 时 Td(开/关)值:25ns/205ns
  • Test Condition:960V, 2.6A, 51 欧姆, 15V
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 产品封装:TO-220-3
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-220AB
  • HGTP2N120CN优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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