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Fairchild
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  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:单端场效应管,D-Pak
  • 技术参数:MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
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HUFA76619D3ST 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:HUFA76619D3ST
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 18A DPAK
  • 系列:UltraFET?
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):100V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):18A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):85 毫欧 @ 18A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):767pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:75W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商器件封装:D-Pak
  • HUFA76619D3ST优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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