KSH112GTM 技术参数详情:
- 制造商产品型号:KSH112GTM
- 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
- 描述:TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK
- 系列:-
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A
- 电压 - 集射极击穿(最大值):100V
- 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A
- 电流 - 集电极截止(最大值):20μA
- 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
- 功率 - 最大值:1.75W
- 频率 - 跃迁:25MHz
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
- 供应商器件封装:D-Pak
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