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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：JFET结点场效应管，SOT-23-3
- 技术参数：JFET P-CH 30V 225MW SOT23
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MMBFJ271 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MMBFJ271
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：JFET P-CH 30V 225MW SOT23
- 系列：-
- FET 类型：P 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：30V
- 漏源极电压 (Vdss)：-
- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：6mA @ 15V
- 漏极电流 (Id) - 最大值：-
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：1.5V @ 1nA
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值：225mW
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