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Fairchild
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NDB6060L 图片
  • 制造厂商:仙童
  • 类别封装:单端场效应管,TO-263AB
  • 技术参数:MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
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NDB6060L 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:NDB6060L
  • 制造商:Fairchild 仙童半导体(已被ONSEMI安森美收购)
  • 描述:MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
  • 系列:-
  • FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):48A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 24A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2000pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:100W
  • 安装类型:表面贴装
  • 产品封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商器件封装:TO-263AB
  • NDB6060L优势代理货源,国内领先的仙童芯片采购服务平台。
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