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- 制造厂商：仙童
- 类别封装：JFET结点场效应管，TO-92-3
- 技术参数：JFET N-CH 40V 350MW TO92
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PN4117_D26Z 技术参数详情：
- 制造商产品型号：PN4117_D26Z
- 制造商：Fairchild 仙童半导体（已被ONSEMI安森美收购）
- 描述：JFET N-CH 40V 350MW TO92
- 系列：-
- FET 类型：N 沟道
- 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V
- 漏源极电压 (Vdss)：-
- 不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：30μA @ 10V
- 漏极电流 (Id) - 最大值：-
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：600mV @ 1nA
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3pF @ 10V
- 电阻 - RDS（开）：-
- 安装类型：通孔
- 产品封装：TO-226-3，TO-92-3 标准主体
- 供应商器件封装：TO-92-3
- 功率 - 最大值：350mW
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