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- 制造厂商：飞思卡尔
- 类别封装：RF FET，OM-780-2
- 技术参数：TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
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AFT09S200W02GNR3 技术参数详情：
- 制造商产品型号: AFT09S200W02GNR3
- 制造商：Freescale 飞思卡尔半导体（已被NXP恩智浦收购）
- 功能总体简述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD
- 系列: -
- 晶体管类型: LDMOS
- 电压 - 集射极击穿（最大值）: -
- 频率: 960MHz
- 增益: 19.2dB
- 频率 - 跃迁: -
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）: -
- 电压 - 测试: 28V
- 额定电流: -
- 功率 - 最大值: -
- 噪声系数: -
- 不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）: -
- 电流 - 测试: 1.4A
- 功率 - 输出: 56W
- 电流 - 集电极（Ic）（最大值）: -
- 安装类型: -
- 电压 - 额定: 70V
- 产品封装: OM-780-2
- 供应商器件封装:
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