
- 制造厂商:GeneSiC
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
- 技术参数:IGBT 1200V SOT247
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GA35XCP12-247 技术参数详情:
- 制造商产品型号:GA35XCP12-247
- 制造商:GeneSiC Semiconductor
- 描述:IGBT 1200V SOT247
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:PT
- 电压-集射极击穿(最大值):1200V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):-
- 电流-集电极脉冲(Icm):35A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3V @ 15V,35A
- 功率-最大值:-
- 开关能量:2.66mJ(开),4.35mJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:50nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:800V,35A,22欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):36ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-247-3
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