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- 制造厂商：GeneSiC
- 类别封装：二极管 - 整流器 - 阵列，封装：三塔
- 技术参数：DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
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MURTA400120 技术参数详情：
- 制造商产品型号：MURTA400120
- 制造商：GeneSiC Semiconductor
- 描述：DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
- 系列：二极管 - 整流器 - 阵列
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- 二极管配置：1 对共阴极
- 二极管类型：标准
- 电压-DC反向(Vr)（最大值）：1200V
- 电流-平均整流(Io)（每二极管）：200A
- 不同If时电压-正向(Vf)：2.6V @ 200A
- 速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间(trr)：-
- 不同Vr时电流-反向泄漏：25μA @ 1200V
- 工作温度-结：-55°C ~ 150°C
- 安装类型：底座安装
- 封装：三塔
- MURTA400120优势代理货源，国内领先的GeneSiC芯片采购服务平台。
