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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：FET - 单，TO-220-3
- 技术参数：MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
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IRF200B211 技术参数详情：
- 制造商产品型号: IRF200B211
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
- 系列: HEXFET，StrongIRFET
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 200V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 12A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 7.2A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4.9V @ 50μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 23nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 790pF @ 50V
- 功率 - 最大值: 80W
- 安装类型: 通孔
- 产品封装: TO-220-3
- 供应商器件封装: TO-220AB
- IRF200B211优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
