产品参考图片
- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，D2PAK
- 技术参数：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 丰富的IR公司产品，IR芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IRF3315STRR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF3315STRR
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
- 系列：HEXFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：21A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：82 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：95nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 25V
- 功率 - 最大值：3.8W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装：D2PAK
- IRF3315STRR优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
