IRF5805TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF5805TR
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.8A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):98 毫欧 @ 3.8A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):511pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)
- 供应商器件封装:Micro6(TSOP-6)
- IRF5805TR优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。