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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，DIRECTFET
- 技术参数：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
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IRF6602 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF6602
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- 系列：HEXFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A（Ta），48A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1420pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.3W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：DirectFET 等容 MQ
- 供应商器件封装：DIRECTFET MQ
- IRF6602优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
