- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:单端场效应管,DIRECTFET
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
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IRF6621TR1PBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF6621TR1PBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12A(Ta),55A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.1 毫欧 @ 12A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.25V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1460pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.2W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:DirectFET 等容 SQ
- 供应商器件封装:DIRECTFET SQ
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