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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，DIRECTFET
- 技术参数：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
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IRF6668TR1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF6668TR1
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
- 系列：HEXFET
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：80V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：55A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：15 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.9V @ 100μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：31nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1320pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.8W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：DirectFET 等容 MZ
- 供应商器件封装：DIRECTFET MZ
- IRF6668TR1优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
