- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:场效应管阵列,8-SO
- 技术参数:MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
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IRF7309PBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF7309PBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 类型:N 和 P 沟道
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A,3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):50 毫欧 @ 2.4A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):520pF @ 15V
- 功率 - 最大值:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
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