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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：FET - 单，8-SOIC
- 技术参数：MOSFET N-CH 55V 5.1A
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IRF7341GTRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号: IRF7341GTRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 55V 5.1A
- 系列: HEXFET
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 55V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 5.1A（Ta）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 50 毫欧 @ 5.1A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250μA（最小）
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 44nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 780pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 2.4W
- 安装类型: 表面贴装
- 产品封装: 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装: 8-SO
- IRF7341GTRPBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
