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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，8-SO
- 技术参数：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
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IRF7342D2PBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF7342D2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- 系列：FETKY?
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：二极管（隔离式）
- 漏源极电压 (Vdss)：55V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：105 毫欧 @ 3.4A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：38nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：690pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装：8-SO
- IRF7342D2PBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
