IRF7494TR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRF7494TR
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):150V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):5.2A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):44 毫欧 @ 3.1A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):54nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1750pF @ 25V
- 功率 - 最大值:3W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- IRF7494TR优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。