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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，Micro8
- 技术参数：MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
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IRF7507TR 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF7507TR
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N+P 20V 1.7A MICRO8
- 系列：HEXFET
- FET 类型：N 和 P 沟道
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.4A，1.7A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：140 毫欧 @ 1.7A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：700mV @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：260pF @ 15V
- 功率 - 最大值：1.25W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
- 供应商器件封装：Micro8
- IRF7507TR优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
