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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，DIRECTFET
- 技术参数：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
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IRF7665S2TRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRF7665S2TRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N-CH 100V DIRECTFET SB
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：标准
- 漏源极电压 (Vdss)：100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A（Ta），14.4A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：62 毫欧 @ 8.9A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 25μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：13nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：515pF @ 25V
- 功率 - 最大值：2.4W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：DirectFET 等距 SB
- 供应商器件封装：DIRECTFET SB
- IRF7665S2TRPBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
