IRFB4215 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRFB4215
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N-CH 60V 115A TO-220AB
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):60V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):115A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 54A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):170nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4080pF @ 25V
- 功率 - 最大值:270W
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-220-3
- 供应商器件封装:TO-220AB
- IRFB4215优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。