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- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:场效应管阵列,PQFN
- 技术参数:MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
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IRFH4251DTRPBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRFH4251DTRPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET 2N-CH 25V 64A/188A PQFN
- 系列:FASTIRFET
- FET 类型:2 个 N 通道(双),肖特基
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):64A,188A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.2 毫欧 @ 30A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 35μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1314pF @ 13V
- 功率 - 最大值:31W, 63W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-PowerVDFN
- 供应商器件封装:PQFN(5x6)
- IRFH4251DTRPBF优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。
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