产品参考图片
- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，PQFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
- 丰富的IR公司产品，IR芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IRFH4253DTRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFH4253DTRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 25V 64A/145A PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：64A，145A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.2 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1314pF @ 13V
- 功率 - 最大值：31W, 50W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：PQFN（5x6）
- IRFH4253DTRPBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
