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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，双
- 技术参数：MOSFET N-CH 25V 25A 24PQFN
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IRFH4257DTRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFH4257DTRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET N-CH 25V 25A 24PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：25V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：25A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.4 毫欧 @ 25A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 35μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1321pF @ 13V
- 功率 - 最大值：25W， 28W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：双 PQFN (5x4)
- IRFH4257DTRPBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
