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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，8-PQFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
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IRFHM8363TR2PBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFHM8363TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：11A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14.9 毫欧 @ 10A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.35V @ 25μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：15nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1165pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.7W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：8-PowerVDFN
- 供应商器件封装：8-PQFN（3.3x3.3）， Power33
- IRFHM8363TR2PBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
