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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，6-PQFN
- 技术参数：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
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IRFHS9351TR2PBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRFHS9351TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：2 个 P 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 3.1A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 10μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：3.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：160pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.4W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：6-PowerVQFN
- 供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
- IRFHS9351TR2PBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
