
- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:场效应管阵列,6-PQFN
- 技术参数:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
- 丰富的IR公司产品,IR芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格

IRFHS9351TR2PBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRFHS9351TR2PBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET 2P-CH 30V 2.3A PQFN
- 系列:HEXFET
- FET 类型:2 个 P 沟道(双)
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):170 毫欧 @ 3.1A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 10μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):3.7nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):160pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.4W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:6-PowerVQFN
- 供应商器件封装:6-PQFN(2x2)
- IRFHS9351TR2PBF优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。
