- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:单端场效应管,I-Pak
- 技术参数:MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
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IRFU120NPBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IRFU120NPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:标准
- 漏源极电压 (Vdss):100V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.4A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):210 毫欧 @ 5.6A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 25V
- 功率 - 最大值:48W
- 安装类型:通孔
- 产品封装:TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
- 供应商器件封装:I-Pak
- IRFU120NPBF优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。