产品参考图片
- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：单端场效应管，6-PQFN
- 技术参数：MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
- 丰富的IR公司产品，IR芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格
点击下图下载技术文档
IRLHS2242TR2PBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRLHS2242TR2PBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：20V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.2A（Ta），15A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 8.5A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：12nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：877pF @ 10V
- 功率 - 最大值：2.1W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：6-PowerVDFN
- 供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
- IRLHS2242TR2PBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
