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- 制造厂商：IR（国际整流器）
- 类别封装：场效应管阵列，6-PQFN
- 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
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IRLHS6376TRPBF 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IRLHS6376TRPBF
- 制造商：IR（International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
- 系列：HEXFET
- FET 类型：2 个 N 沟道（双）
- FET 功能：逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss)：30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.6A
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：63 毫欧 @ 3.4A，4.5V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 10μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.8nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：270pF @ 25V
- 功率 - 最大值：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 产品封装：6-VDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：6-PQFN（2x2）
- IRLHS6376TRPBF优势代理货源，国内领先的IR芯片采购服务平台。
