- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:单端场效应管,8-SO
- 技术参数:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 丰富的IR公司产品,IR芯片采购平台
- 提供当日发货、严格的质量标准,满足您的目标价格
SI4420DYTR 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SI4420DYTR
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):12.5A(Ta)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9 毫欧 @ 12.5A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2240pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- SI4420DYTR优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。