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- 制造厂商:IR(国际整流器)
- 类别封装:单端场效应管,8-SO
- 技术参数:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
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SI4435DYTRPBF 技术参数详情:
- 制造商产品型号:SI4435DYTRPBF
- 制造商:IR(International Rectifier 已被英飞凌INFINEON收购)
- 描述:MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC
- 系列:HEXFET
- FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源极电压 (Vdss):30V
- 电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):8A(Tc)
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 8A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2320pF @ 15V
- 功率 - 最大值:2.5W
- 安装类型:表面贴装
- 产品封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:8-SO
- SI4435DYTRPBF优势代理货源,国内领先的IR芯片采购服务平台。
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