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- 制造厂商：ISSI
- 类别封装：存储器，产品封装：54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
- 技术参数：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
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IS42S81600E-6TLI 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IS42S81600E-6TLI
- 制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- 描述：IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
- 产品系列：存储器
- 包装：托盘
- 系列：-
- 零件状态：停产
- 存储器类型：易失
- 存储器格式：DRAM
- 技术：SDRAM
- 存储容量：128Mb（16M x 8）
- 存储器接口：并联
- 时钟频率：166MHz
- 写周期时间-字，页：-
- 访问时间：5.4ns
- 电压-供电：3V ~ 3.6V
- 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：表面贴装型
- 产品封装：54-TSOP（0.400，10.16mm 宽）
- IS42S81600E-6TLI优势代理货源，国内领先的ISSI芯片采购服务平台。
