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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：单端场效应管，SOT-223
- 技术参数：MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
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CPC5602C 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号：CPC5602C
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：MOSFET N-CH 350V 5MA SOT-223
- 系列：-
- FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能：耗尽模式
- 漏源极电压 (Vdss)：350V
- 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：5mA（Ta）
- 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：14 欧姆 @ 50mA，350mV
- 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-
- 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：300pF @ 0V
- 功率 - 最大值：2.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA
- 供应商器件封装：SOT-223
- CPC5602C优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
