FII30-06D 技术参数详情:
- 制造商产品型号:FII30-06D
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5
- 系列:晶体管 - IGBT - 阵列
- 零件状态:停产
- IGBT类型:NPT
- 配置:半桥
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):30A
- 功率-最大值:100W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,20A
- 电流-集电极截止(最大值):600μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies):1.1nF @ 25V
- 输入:标准
- NTC热敏电阻:无
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:i4-Pac?-5
- FII30-06D优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。