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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - IGBT - 阵列，封装：i4-Pac?-5
- 技术参数：IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
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FII50-12E 技术参数详情：
- 制造商产品型号：FII50-12E
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
- 系列：晶体管 - IGBT - 阵列
- 零件状态：停产
- IGBT类型：NPT
- 配置：半桥
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 功率-最大值：200W
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.6V @ 15V，30A
- 电流-集电极截止（最大值）：400μA
- 不同?Vce时输入电容(Cies)：2nF @ 25V
- 输入：标准
- NTC热敏电阻：无
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：i4-Pac?-5
- FII50-12E优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
