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IXA40RG1200DHG-TRR 图片
  • 制造厂商:IXYS
  • 类别封装:晶体管 - IGBT - 阵列,封装:9-SMD 模块
  • 技术参数:IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
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IXA40RG1200DHG-TRR 技术参数详情:
  • 制造商产品型号:IXA40RG1200DHG-TRR
  • 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
  • 描述:IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD
  • 系列:晶体管 - IGBT - 阵列
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:PT
  • 配置:半桥
  • 电压-集射极击穿(最大值):1200V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):63A
  • 功率-最大值:230W
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.15V @ 15V,35A
  • 电流-集电极截止(最大值):150μA
  • 不同?Vce时输入电容(Cies):-
  • 输入:标准
  • NTC热敏电阻:无
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:9-SMD 模块
  • IXA40RG1200DHG-TRR优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
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