IXBT2N250 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IXBT2N250
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:IGBT 2500V 5A 32W TO268
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:BIMOSFET?
- 零件状态:有源
- IGBT类型:-
- 电压-集射极击穿(最大值):2500V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):5A
- 电流-集电极脉冲(Icm):13A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):3.5V @ 15V,2A
- 功率-最大值:32W
- 开关能量:-
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:10.6nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:-
- 反向恢复时间(trr):920ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:表面贴装型
- 封装:TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
- IXBT2N250优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。