- 制造厂商:IXYS
- 类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-3P-3 整包
- 技术参数:IGBT 600V 60A 250W TO247AD
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IXDH35N60BD1 技术参数详情:
- 制造商产品型号:IXDH35N60BD1
- 制造商:IXYS(已被Littelfuse力特半导体收购)
- 描述:IGBT 600V 60A 250W TO247AD
- 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列:-
- 零件状态:停产
- IGBT类型:NPT
- 电压-集射极击穿(最大值):600V
- 电流-集电极(Ic)(最大值):60A
- 电流-集电极脉冲(Icm):70A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.7V @ 15V,35A
- 功率-最大值:250W
- 开关能量:1.6mJ(开),800μJ(关)
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:120nC
- 25°C时Td(开/关)值:-
- 测试条件:300V,35A,10 欧姆,15V
- 反向恢复时间(trr):40ns
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:通孔
- 封装:TO-3P-3 整包
- IXDH35N60BD1优势代理货源,国内领先的IXYS芯片采购服务平台。