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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：ISOPLUS247?
- 技术参数：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
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IXDR30N120D1 技术参数详情：
- 制造商产品型号：IXDR30N120D1
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 描述：IGBT 1200V 50A 200W ISOPLUS247
- 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- IGBT类型：NPT
- 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：50A
- 电流-集电极脉冲(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，30A
- 功率-最大值：200W
- 开关能量：4.6mJ（开），3.4mJ（关）
- 输入类型：标准
- 栅极电荷：120nC
- 25°C时Td（开/关）值：-
- 测试条件：600V，30A，47 欧姆，15V
- 反向恢复时间(trr)：40ns
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 封装：ISOPLUS247?
- IXDR30N120D1优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
