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- 制造厂商：IXYS
- 类别封装：FET - 单，TO-263-3，D2Pak
- 技术参数：MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 丰富的IXYS公司产品，IXYS芯片采购平台
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IXFA3N120TRL 技术参数详情：
- IXYS公司完整型号: IXFA3N120TRL
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半导体收购）
- 功能总体简述: MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263
- 系列: HiPerFET?
- FET 类型: MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET 功能: 标准
- 漏源极电压（Vdss）: 1200V（1.2kV）
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3A（Tc）
- 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 4.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 5V @ 1.5mA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 39nC @ 10V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 1050pF @ 25V
- 功率 - 最大值: 200W
- 安装类型: 表面贴装
- 封装/外壳: TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
- 供应商器件封装: TO-263
- IXFA3N120TRL优势代理货源，国内领先的IXYS芯片采购服务平台。
